中科院成功研发全固态DUV光源技术

中国科学院研发出突破性固态深紫外激光，可发射193纳米相干光，用于半导体光刻技术。该系统通过紧凑型固态纳秒脉冲激光，在6千赫兹频率下产生193纳米激光，功率70毫瓦。首次实现固态激光生成193纳米涡旋光束，助力晶圆加工与缺陷检测。这一成果对半导体行业发展具有重要意义。