半导体光刻

中国科学院研发出突破性固态深紫外激光，可发射193纳米相干光，用于半导体光刻技术。该系统通过紧凑型固态纳秒脉冲激光，在6千赫兹频率下产生193纳米激光，功率70毫瓦。首次实现固态激光生成193纳米涡旋...